磁控濺射鍍膜屬于高速低溫濺鍍法。在真空狀充入惰性氣體Ar，并在塑膠基材陽極和金屬靶材陰極之間加入高壓直流電，由于輝光放電產生的電子激發惰性氣體產生氬氣正離子，正離子向陰極靶材高速運動，將靶材原子轟出，沉積在塑膠基材上形成薄膜。

磁控濺射鍍膜原理是采用高能粒子通常是由電場加速的正離子轟擊固體表面，固體表面的原子、分子與入射的高能粒子交換動能后從固體表面飛濺出來的現象稱為濺射。濺射出的原子（或原子團）具有一定的能量，它們可以重新沉積凝聚在固體基片表面形成薄膜。

真空濺鍍氣壓要求，真空濺鍍要求在真空狀態中充入惰性氣體實現輝光放電，該工藝要求真空度在1.3×10-3Pa的分子流狀態。工藝流程真空濺鍍也可根據基材和靶材的特性直接濺射不用涂底漆，真空濺鍍的鍍層可通過調節電流大小和時間來壘加，但不能太厚，太厚了表面原子壘加會出現小小的空洞間隙。厚度范圍0.2~2um。

磁控濺射鍍膜技術作為薄膜材料制備的主流工藝，磁控濺射鍍膜應用領域廣泛，如集成電路、平板顯示器、太陽能電池、信息存儲、工具改性、光學鍍膜、電子器件、高檔裝飾用品等行業。隨著消費類電子產品等終端應用市場的快速發展，磁控濺射鍍膜的市場規模日益擴大，呈現高速增長的勢頭。