高純濺射靶材是伴隨著半導體工業的發展而興起的，研發生產設備專用性強，涉及測試平臺精密度高，全球半導體工業的區域集聚性造就了高純濺射靶材生產企業的高度聚集。另外金屬靶材是高純濺射靶材重要的生產來源，金屬靶材的制備中包括材料純化和靶材制備兩個過程，提純化過程中確保降低靶材中雜志含量，制備過程確保靶材表面平整程度。

高純濺射靶材與金屬靶材料提純化過程中主要方法包括化學提純化和物理提純法。化學提純法分為濕法提純和火法提純，濕法提純包括離子交換、溶劑萃取、置換沉淀和電解精煉等；火法提純包括氯化精餾、碘化熱分解、金屬有機物熱分解、歧化分解、熔析精煉和熔鹽電解等。目前應用最多的是電解精煉提純，其原理是在電解過程中，利用雜質金屬和主金屬在陰極上析出電位差異從而達到提純目的。常見的如高純Cu、Co、Ni、Ag和Ti。

高純濺射靶材的物理提純法利用主體金屬與雜質物理性質差異，采用蒸發、凝固、結晶、擴散、電遷移等物理過程去除雜質，具體方法包括區域熔融法、偏析提純法、真空蒸餾法、單晶法和電遷移法，一般此類提純在真空條件下進行，一些吸氣性很強的金屬需要在高正空和超高真空條件下完成提純，其原理是在此條件下降低氣體分子在金屬中溶解度從而實現提純，對于低熔點的Al、Cu、Au和Ag等金屬及其合金等采用真空感應熔煉制備；對于高熔點的Ti、Co、Ta和Ni等金屬采用真空電子束爐或電弧熔煉制備。

目前高純濺射靶材技術不斷進行改進和生產，在過去幾十年中濺射鍍膜工藝起源于國外，西方國家投入較早。目前，全球半導體濺射靶材研制和生產主要集中在美國、日本少數幾家公司。以霍尼韋爾（美國）、日礦金屬（日本）、東曹（日本）等跨國集團為代表的濺射靶材生產商較早涉足該領域，經過幾十年的技術積淀，憑借其雄厚的技術力量、精細的生產控制和過硬的產品質量居于全球濺射靶材市場的主導地位，占據絕大部分市場份額。